KCX3310A場效應管采用先進的SGT技術，漏源擊穿電壓100V，漏極電流85A；低導通電...KCX3310A場效應管采用先進的SGT技術，漏源擊穿電壓100V，漏極電流85A；低導通電阻RDS（導通）僅為5mΩ，極低的開關損耗，具有低RDS（開啟）和FOM、卓越的穩定性和...
KIA40N20A漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，...KIA40N20A漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，具有快速切換、低電阻、低柵極電荷特性，符合RoHS，高效率低損耗、穩定可靠，適用于...
KCT1810A功率MOSFET采用先進的SGT技術，漏源擊穿電壓100V，漏極電流240A，極低...KCT1810A功率MOSFET采用先進的SGT技術，漏源擊穿電壓100V，漏極電流240A，極低的導通電阻RDS（開啟）典型值=1.6mΩ@VGS=10V，減小損耗；具有優秀的柵極電荷x RDS（...
逆變器的工作原理就是一個低壓直流轉換為高壓交流的過程；逆變器作為電力電子裝...逆變器的工作原理就是一個低壓直流轉換為高壓交流的過程；逆變器作為電力電子裝置中的關鍵組件，扮演著將直流電轉換為交流電的角色，這一過程對于諸如太陽能發電系...
電機控制器專用mos管KNP2904A漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低的導通電阻R...電機控制器專用mos管KNP2904A漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低的導通電阻RDS（ON）=2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗、提高效率；具有低Crss、快速切換、1...
KNP2906B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，其RDS（開）典型值為4.6mΩ@...KNP2906B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，其RDS（開）典型值為4.6mΩ@VGS=10V，低柵極電荷（典型值為148nC），具有高堅固性和100％的雪崩測試，穩定可靠；...
