場效應管引見篇 場效應結晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））職稱...場效應管引見篇 場效應結晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））職稱場效應管。由少數載流子參加導熱，也稱為多極型結晶體管。它歸于電壓掌握型半超導體...
來自韓國科學技術學院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，...來自韓國科學技術學院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的團隊研發了一種用于場效應晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。
KIA30N03B采用先進的高單元密度溝槽技術，性能出色，漏源擊穿電壓30V，漏極電流...KIA30N03B采用先進的高單元密度溝槽技術，性能出色，漏源擊穿電壓30V，漏極電流30A，超低柵極電荷RDS（開啟）=15m?@VDS=30V，減小損耗；具有出色的Cdv/dt效應下降...
電機驅動mos管KNK7880A漏源擊穿電壓高達800V，漏極電流27A，RDS (on) = 280mΩ...電機驅動mos管KNK7880A漏源擊穿電壓高達800V，漏極電流27A，RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V，低柵極電荷最小化開關損耗；該器件采用先進平面工藝，高效率低損耗...
電源專用mos管KIA2806A漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，低RDS（ON）=3.5 m?（...電源專用mos管KIA2806A漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，低RDS（ON）=3.5 m?（典型值）@VGS=10V，減小損耗，提高效率；100%雪崩測試，可靠且堅固；提供無鉛和綠色...
KNP2908B采用先進的溝槽技術，漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，提供優異的RDS（...KNP2908B采用先進的溝槽技術，漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，提供優異的RDS（ON）=5.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低柵極電荷，低RDS（ON）的高密度電池設計、完全表...
