dcdcmos管選型,?40n20場效應管參數,代換,KIA40N20A?-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-08
KIA40N20A漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，具有快速切換、低電阻、低柵極電荷特性，符合RoHS，高效率低損耗、穩定可靠，適用于DC-DC轉換器、UPS DC-AC轉換器、開關電源和電機控制，還可以用于逆變電路、安防、拉桿音箱、無線充電器。封裝形式：TO-220、TO-3P。
漏源電壓：200V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：40A
脈沖漏極電流：120A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：175W
熱電阻：62.5/W
漏源擊穿電壓：200V
溫度系數：0.2/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1560 PF
輸出電容：370 PF
上升時間：32 ns
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